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한미반도체, 차세대 HBM4 공정용 'TC본더 4' 공개

파이낸셜뉴스 2025.05.14 10:24 댓글 0

빅테크 AI 반도체 수요 대응

곽동신 <span id='_stock_code_042700' data-stockcode='042700'>한미반도체</span> 회장이 &#39;TC본더 4&#39; 장비 앞에서 기념 촬영을 하고 있다. 한미반도체 제공
곽동신 한미반도체 회장이 'TC본더 4' 장비 앞에서 기념 촬영을 하고 있다. 한미반도체 제공

[파이낸셜뉴스] 한미반도체가 차세대 인공지능(AI) 반도체 핵심인 'HBM4' 생산 전용 장비 'TC본더 4'를 출시한다고 14일 밝혔다. TC본더는 열압착 방식을 통해 D램 메모리반도체를 위아래로 쌓아올리는 기능을 하는 장비로 HBM 공정에 있어 핵심 장비로 분류된다.

곽동신 한미반도체 회장은 "AI 시장 급성장으로 글로벌 HBM 시장은 매년 폭발적으로 성장하고 있다"라며 "미국 엔비디아가 올해 하반기에 선보이는 차세대 제품인 '블랙웰 울트라' 생산에도 한미반도체 TC본더가 적용된다"고 말했다. 이어 "당사 HBM 공정용 TC본더 세계 점유율 1위 위상과 경쟁력은 변함이 없다"고 강조했다.

반도체 업계 일각에서는 HBM4 생산을 위해 하이브리드 본딩 기술이 필요하다는 주장이 나온다. 하지만 지난 4월 국제반도체표준화기구에서 HBM4 표준 높이를 775μm(마이크로미터)로 완화하면서 한미반도체는 TC본더 장비로 HBM4 제품까지 제조가 가능해지는 직접적인 수혜가 예상된다.

곽 회장은 "이번에 출시한 TC본더 4는 HBM4 생산이 가능한 전용 장비로 정밀도를 요구하는 HBM4 특성에 맞춰 경쟁사 대비 생산성과 정밀도가 향상된 점이 특징"이라며 "글로벌 반도체 거래처 HBM4 생산에 적극 활용하며 향후 HBM4 시장 확대에 따라 매출에 크게 기여할 것"이라고 밝혔다.

국내외 유수 메모리반도체 기업들은 올해 하반기 HBM4 양산을 예정한다. 6세대 고대역폭 메모리인 HBM4는 기존 5세대(HBM3E) 대비 속도가 60% 향상되고 전력 소모는 70% 정도 낮아진다. 최대 16단까지 지원하며 D램 당 용량도 24Gb(기가비트)에서 32Gb로 확장된다. 데이터 전송 통로인 실리콘관통전극(TSV) 인터페이스 수 역시 이전 세대 대비 2배인 2048개로 증가해 프로세서와 메모리 간 데이터 전송 속도가 향상된다.

이에 따라 높은 정밀도가 요구되는 16단 이상 HBM 적층 공정에서 고난도 본딩 기술 중요성이 더욱 커지는 추세다.

한편 1980년 설립된 한미반도체는 전 세계 320여개 거래처를 보유한 반도체 장비기업이다. 2002년 지적재산부 설립 이후 지적재산권 보호와 강화에도 주력하며 현재까지 120여건 HBM 장비 특허를 출원했다.

현재 한미반도체는 HBM3E 12단 생산용 TC본더 시장에서 90% 이상 점유율을 차지한다. 이번 HBM4 전용 장비 출시를 계기로 글로벌 AI 반도체 시장에서 입지를 한층 강화한다는 전략이다.

butter@fnnews.com 강경래 기자

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